Dos científicos españoles postulan un sistema revolucionario de memoria RAM

Los españoles Noel Rodríguez y Francisco Gámiz, investigadores del Laboratorio de Nanoelectrónica de la Universidad de Granada, tienen entre manos el que podría convertirse en un nuevo estándar en el almacenamiento digital: la memoria A-RAM. El ingenio, cuyo acrónimo responde a ‘Advanced Random Access Memory’, se postuló en 2009 con la colaboración del laboratorio CEA-LETI en Grenoble, Francia. Se trata, en esencia, del diseño de una celda de memoria que permite una miniaturización mucho mayor que la del actual DRAM, presente en la mayoría de ordenadores, smartphones y consolas, al eliminar el condensador y montar solo un transistor en cada celda.

Como explica Gámiz, las bases de la memoria de acceso rápido se han mantenido inalteradas los últimos 60 años: “Desde su invención en los años 60 por Robert Dennard en IBM (EEUU), las instrucciones y los datos necesarios para el funcionamiento de un ordenador se almacenan en forma de ceros (ausencia de carga) y unos (presencia de carga) en arrays de celdas de memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)”. Las celdas de memoria DRAM están formadas por un transistor y un condensador (ó 1T-1C-DRAM), es decir, cada bit de información se almacena en forma de carga eléctrica en una celda formada por un condensador (que almacena la carga) y un transistor a través del cual se accede a dicha carga y, por lo tanto, a la información.

El modelo de A-RAM español elimina el condensador, la parte más difícil de escalar, y almacena toda la información en el transistor, que también sirve el acceso a los datos. De este modo se consigue una memoria mucho más pequeña que proporciona tiempos de retención muy largos, muy bajo consumo de energía y una gran separación entre ambos niveles lógicos, lo que la hace especialmente inmune al ruido/interferencias y a la variabilidad de los procesos tecnológicos.

En el sitio web puede encontrarse una definición mucho más sencilla: “Imaginemos una gran piscina -el estándar de grandes transistores- que es capaz de mantener el agua fría y la caliente separadas durante un periodo de tiempo. ¿Pero qué sucede al intentar realizar el mismo experimento en un vaso de agua, en la última escala del transistor-? Pues que A-RAM puede hacerlo”.

El proyecto de Rodríguez y Gámiz se encuentra ya en las últimas fases de desarrollo tras comprobar la prestigiosa publicación IEEE Electron Device Letters que los resultados experimentales se ajustan a las prospecciones teóricas. En estos momentos diez patentes internacionales (UE, Japón, EEUU, Corea…) protegen la A-RAM mientras el equipo se centra en el desarrollo de alternativas derivadas que se ajustan al modelo tridimensional empleado por Intel en su arquitectura Sandy Bridge.

[Via ElConfidencial]

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